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MOS管工作原理图详解-MOS管工作原理电路图及结构分析-KIA MOS管

  • 2019-03-21 08:42:16

 MOS管工作原理图详解

MOS管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。
对于这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小,且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS。下面的介绍中,也多以NMOS为主。
MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在,这不是我们需要的,而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些,但没有办法避免,后边再详细介绍。
在MOS管工作原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要。顺便说一句,体二极管只在单个的MOS管中存在,在集成电路芯片内部通常是没有的。
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它一般有耗尽型和增强型两种。本文使用的为增强型MOS
MOS管,其内部结构见mos管工作原理图。它可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型,PNP型也叫P沟道型。由图可看出,对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上,同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管,其输出电流是由输入的电压(或称电场)控制,可以认为输入电流极小或没有输入电流,这使得该器件有很高的输入阻抗,同时这也是我们称之为场效应管的原因。
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为解释MOS管工作原理图,我们先了解一下仅含有一个P—N结的二极管的工作过程。如图所示,我们知道在二极管加上正向电压(P端接正极,N端接负极)时,二极管导通,其PN结有电流通过。这是因为在P型半导体端为正电压时,N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端,而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动,从而形成导通电流。同理,当二极管加上反向电压(P端接负极,N端接正极)时,这时在P型半导体端为负电压,正电子被聚集在P型半导体端,负电子则聚集在N型半导体端,电子不移动,其PN结没有电流通过,二极管截止。
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对于MOS管(见图),在栅极没有电压时,由前面分析可知,在源极与漏极之间不会有电流流过,此时MOS管与截止状态(图a)。当有一个正电压加在N沟道的MOS管。
MOS管栅极上时,由于电场的作用,此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极,但由于氧化膜的阻挡,使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中(见图b),从而形成电流,使源极和漏极之间导通。我们也可以想像为两个N型半导体之间为一条沟,栅极电压的建立相当于为它们之间搭了一座桥梁,该桥的大小由栅压的大小决定。图给出了P沟道的MOS管。
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MOS管工作原理图工作过程,其工作原理类似这里不再重复。
 
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下面简述一下用C-MOS场效应管(增强型MOS管)组成的应用电路的工作过程(见图)。电路将一个增强型P沟道MOS管和一个增强型N沟道MOS场效应管组合在一起使用。当输入端为低电平时,P沟道MOS管导通,输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时,N沟道MOS场效应管导通,输出端与电源地接通。在该电路中,P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作,其相位输入端和输出端相反。通过这种工作方式我们可以获得较大的电流输出。同时由于漏电流的影响,使得栅压在还没有到0V,通常在栅极电压小于1到2V时,MOS场效应管既被关断。不同场效应管其关断电压略有不同。也正因为如此,使得该电路不会因为两管同时导通而造成电源短路。
 
 
DC-DC转换器设计技术发展主要趋势:
(1)高频化技术:随着开关频率的提高,开关变换器的体积也随之减小,功率密度也得到大幅提升,动态响应得到改善。小功率DC-DC转换器的开关频率将上升到兆赫级。
(2)低输出电压技术:随着半导体制造技术的不断发展,微处理器和便携式电子设备的工作电压越来越低,这就要求未来的DC-DC变换器能够提供低输出电压以适应微处理器和便携式电子设备的要求。
这些技术的发展对电源芯片电路的设计提出了更高的要求。首先,随着开关频率的不断提高,对于开关元件的性能提出了很高的要求,同时必须具有相应的开关元件驱动电路以保证开关元件在高达兆赫级的开关频率下正常工作。其次,对于电池供电的便携式电子设备来说,电路的工作电压低(以锂电池为例,工作电压 2.5~3.6V),因此,电源芯片的工作电压较低。
 
MOS管具有很低的导通电阻,消耗能量较低,在目前流行的高效DC-DC芯片中多采用MOS管作为功率开关。但是由于MOS管的寄生电容大,一般情况下 NMOS开关管的栅极电容高达几十皮法。这对于设计高工作频率DC-DC转换器开关管驱动电路的设计提出了更高的要求。
 
在低电压ULSI设计中有多种CMOS、BiCMOS采用自举升压结构的逻辑电路和作为大容性负载的驱动电路。这些电路能够在低于1V电压供电条件下正常工作,并且能够在负载电容1~2pF的条件下工作频率能够达到几十兆甚至上百兆赫兹。本文正是采用了自举升压电路,设计了一种具有大负载电容驱动能力的,适合于低电压、高开关频率升压型DC-DC转换器的驱动电路。电路基于Samsung AHP615 BiCMOS工艺设计并经过Hspice仿真验证,在供电电压1.5V ,负载电容为60pF时,工作频率能够达到5MHz以上。
 
MOS开关管损失
不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在,这样电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右,几毫欧的也有。
 
MOS在导通和截止的时候,一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程,流过的电流有一个上升的过程,在这段时间内,MOS管的损失是电压和电流的乘积,叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多,而且开关频率越快,损失也越大。
 
导通瞬间电压和电流的乘积很大,造成的损失也就很大。缩短开关时间,可以减小每次导通时的损失;降低开关频率,可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。
 
mos管工作原理图
上图是MOS管工作原理图导通时的波形。可以看出,导通瞬间电压和电流的乘积很大,造成的损失也就很大。降低开关时间,可以减小每次导通时的损失;降低开关频率,可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。
 
MOS管发热原因分析
一款路由产品的硬件开发中,其中一项是客户需要非标准POE供电,可输出的POE供电电压为12/24/30/48V切换,最大输出功率设计为24W,电路采用反激式电源方案(电源芯片MP3910,芯片厂商提供方案),在调试该部分电路时出现MOS管(NMOS,SUD50N06)发热严重,输出电压非带载时正常,带载时(开始带载50%),MOS管发热严重,输出电压被拉低,不论是输出哪一路电压,输出只有9V左右,TLV431的稳压值只有1V左右(正常选择的型号Vref=2.5V),开始一直觉得问题出在TLV431上,后来换了板子竟发现可以正常稳压(应该是上一个板子变压器和MOS管出现问题,但没回去验证),但是mos管很烫,带载不到十秒钟就会冒烟,后来经过与芯片方案的FAE沟通才发现,MSP3910的驱动MOS管的引脚gate脚与MOS管之间的限流电阻用错物料,mos管工作原理图是4.99欧,但实际用的是4.99K,更换电阻后可输出正常电压,MOS管也不会很烫。
 
下面是解决问题思路:
一、用示波器观察所用MOS管的G极波形,如图一所示 ,上升时间接近1.32us,下降时间接近<160ns(实测50ns),再看如图二所示的手册中对MOS驱动上升下降沿要求,上升时间要求<35ns,下降时间<80ns,可得结论:上升时间过长导致MOS管工作为线性状态,非开关状态(参看总结一),MOS管开通过程时间太长直接导致了MOS管的发热严重。
 
二、解决:更换驱动限流电阻(图二中Rg),由于当时手里当时没有4.99欧电阻,更换为22欧的电阻后,G极波形如图三所示,Ton和Toff已经接近图二要求的时间,MOS管24V时带载27欧,输出功率21.3W,输出电压正常,MOS管基本不发热。
mos管工作原理图
总结一:MOS管发热原因小结
1、电路设计的问题,就是让MOS管工作在线性的工作状态,而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关,G级电压要比电源高几V,才能完全导通,P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗,等效直流阻抗比较大,压降增大,所以U*I也增大,损耗就意味着发热。这是设计电路的最忌讳的错误;(本次产品测试问题点虽然不是出在电路设计上,但BOM做错比设计错误往往更难分析)
2、频率太高,主要是有时过分追求体积,导致频率提高,MOS管上的损耗增大了,所以发热也加大了;
3、没有做好足够的散热设计,电流太高,MOS管标称的电流值,一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流,也可能发热严重,需要足够的辅助散热片;
4、MOS管的选型有误,对功率判断有误,MOS管内阻没有充分考虑,导致开关阻抗增大。
总结二:MOS管工作状态分析
MOS管工作状态有四种,开通过程、导通状态、关断过程,截止状态;
MOS管主要损耗:开关损耗,导通损耗,截止损耗,还有雪崩能量损耗,开关
损耗往往大于后者;
MOS管主要损坏原因:过流(持续大电流或瞬间超大电流),过压(D-S,G-S被击穿),静电(个人认为可属于过压);
 
总结三:MOS管工作过程分析
MOS管工作过程非常复杂,里面变量很多,总之开关慢不容易导致米勒震荡(介绍米勒电容,米勒效应等,很详细),但开关损耗会加大,发热大;开关的速度快,损耗会减低,但是米勒震荡很厉害,反而会使损耗增加。驱动电路布线和主回路布线要求很高,最终就是寻找一个平衡点,一般开通过程不超过1us;